此技术应用场景技术要求如下:
一、通孔尺寸与精度
直径:TSV的直径通常在1μm到50μm之间,。
深度:深度范围在10μm到250μm之间
深宽比(Aspect Ratio):TSV技术要求较高的深宽比,通常在3到5之间。
垂直度与侧壁粗糙度:垂直度需高,侧壁应光滑,以减少信号传输损耗和提高可靠性。具要求侧壁粗糙度控制在纳米级别。
二、绝缘层与阻挡层性能
绝缘层厚度:绝缘层的厚度要求均匀且稳定,以保证电气隔离效果。
阻挡层厚度:阻挡层用于防止金属填充物向绝缘层扩散,其厚度需适中,有效阻挡扩散又要避免增加过多电阻。
三、金属填充质量
填充率:要求无孔隙或孔隙率极低,以确保信号传输的完整性和可靠性。
导电性与热导性:填充铜需具备良好的导电性和热导性,以满足高速信号传输和有效热管理的需求。
技术领域 | 先进制造工艺与装备,先进制造与自动化,大规模集成电路制造相关技术 | 需求类型 | 关键技术研发 | 有效期至 | 2025-04-23 |
合作方式 | 合作开发 | 需求来源 | | 所在地区 | |