本发明公开了一种低相位噪声电感电容压控振荡器,该振荡器包括谐振腔和Q值增大级;所述的谐振腔包括由电感(L)、第三电容(C3)、第一电容(Cv1)、第二电容(Cv2),第四电容(C4)顺序连接组成的一个闭环,第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串联连接后,其一端接在第三电容(C3)、第一电容(Cv1)之间,另一端接在第二电容(Cv2)、第四电容(C4)之间;所述Q值增大级包括由第零NMOS管(NM0)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)组成的放大器,本发明压控振荡器具有相位噪声低、结构简单、芯片面积小等特点。
商品类型 | 专利 | 申请号 | 201210519598.6 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |