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一种多晶硅铸锭生长的控制方法及其工艺
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商品编号
202128811114533812
商品权属
自有
转让方式
技术转让
成交价格
¥ 500,000 元
成交时间
2021-11-10

店铺信息

南通大学技术转移中心
电话 151xxxx0268
本发明公开了一种多晶硅铸锭生长控制方法及工艺,坩埚顶部和底部之间的温度差作为一个新引入的参数△t进行控制多晶硅铸锭生长工艺的长成,铸锭制备工艺过程中,曲线△t先增加后减小,再增加最后降到0,当△t峰值达到最大时,坩埚中的硅料开始熔化,直到硅料完全熔化时,△t会出现一个极小值的尖契,△t尖契的温度不可低于160℃,一旦低于这个温度,坩埚底部的籽晶层会出现熔穿现象,导致红区升高,同时坩埚边角处的红区会沿坩埚壁向上延伸,△t峰值判断法,可以作为硅锭铸锭过程的判断依据,并提供一种多晶硅铸锭生长工艺,本发明优点降低多晶硅中红区厚度,提高多晶硅的质量,提高多晶硅的利用效率,降低成本。
本发明公开了一种多晶硅铸锭生长控制方法及工艺,坩埚顶部和底部之间的温度差作为一个新引入的参数△t进行控制多晶硅铸锭生长工艺的长成,铸锭制备工艺过程中,曲线△t先增加后减小,再增加最后降到0,当△t峰值达到最大时,坩埚中的硅料开始熔化,直到硅料完全熔化时,△t会出现一个极小值的尖契,△t尖契的温度不可低于160℃,一旦低于这个温度,坩埚底部的籽晶层会出现熔穿现象,导致红区升高,同时坩埚边角处的红区会沿坩埚壁向上延伸,△t峰值判断法,可以作为硅锭铸锭过程的判断依据,并提供一种多晶硅铸锭生长工艺,本发明优点降低多晶硅中红区厚度,提高多晶硅的质量,提高多晶硅的利用效率,降低成本。
商品类型 专利 申请号 2018106351137 所属行业 暂缺
专利类型 发明 法律状态 有权 IPC分类号 C30B28/06
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 授权号
技术领域 新材料 无机非金属材料 有效期至 长久有效 授权日 2020-09-04
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